| 삼성전자, 신개념 CTF 낸드기술 세계 최초 개발 | |||
|
양인숙기자
|
|||
삼성전자가 반도체 나노기술의 역사를 또 다시 새로 쓰면서, 기가를 뛰어 넘는 테라시대 진입 가능성을 예고함 전원이 꺼져도 데이터가 영구 보존되는 비휘발성 플래시 메모리가 1971년 등장한 이후, 1988년에는 노어 플래시, 1989년에는 낸드 플래시가 각각 발명됨 두 제품은 모두 미국과 일본 업체에 의해 최초로 발명되었는데, 두 제품 모두 二重 게이트 구조를 가지면서 전하를 도체 물질에 저장하는 플로팅 게이트(Floating Gate) 기술을 근간으로 하고 있으며, 이 기술은 현재까지 35년간 지속 사용돼 오고 있음 그러나 이 기술로는 셀間 정보간섭 현상, 工程 스텝 數 과다로 인한 비효율 등으로 40나노급 이하의 超미세화 및 멀티비트(Multi-bit) 구현에 限界가 있음 결국, 이 기술이 안고 있는 문제도 해결하는 동시에 이 기술과는 완벽한 斷絶을 선언하는, 즉, "改善" 수준이 아닌 "改革" 수준의 전혀 새로운 "획기적 Breakthrough 기술" 출현이 기대되는 시점이 된 것임 오늘 삼성전자는 "CTF (Charge Trap Flash)" 라는 새로운 개념의 혁신적 낸드플래시 기술을 적용한 반도체 제품을 세계 최초로 상용화 했다고 발표함 CTF 기술의 핵심은, ⓛ 기존의 고정관념을 바꾸어 전하를 기존의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장하는 기술 ② 타노스(TANOS) 라고 불리우는 새로운 메탈게이트 구조 기술 等인데, 이를 통해 셀間 정보간섭을 최대한 억제할 수 있어, 반도체 공정의 한계로 알려져 왔던 50나노 장벽을 허물고 40나노급 이하에서 반도체 상용화 가능성이 제시된 것임 이 기술은 단지 플래시 메모리만의 범주를 벗어나, 미래 반도체 개발의 당면 과제인 "초미세화", "고용량화", "고성능화" 등을 동시에 해결할 수 있는 차차세대 반도체 기술로, 향후 20나노/256기가 級까지 확대 적용이 가능하며, 특히, 2010년 이후 테라(기가의 1,000배)시대 진입의 토대가 될 것이라는 데 매우 큰 의의가 있다는 評價임 삼성전자는 01년 CTF 개발에 착수, 02년 기본 특허를 출원하였으며, 03년 셀 개발 성공과 함께 반도체 세계 최고권위 학회인 IEDM에 同 기술 관련 논문을 세계 최초로 발표, 好評을 받은 바 있음 또한, 올해말 개최 예정인 06년 IEDM에서는 관련 논문이 세션 최우수 논문으로 채택, 발표될 예정인데, 이 기술이 바로 세계 반도체 업계가 주목하는 40나노급 이하 超미세 공정 구현을 위한 "CTF 기술"로 이를 통해 "CTF 기술"은 세계 반도체 업체들로부터 차세대 낸드플래시 기술로 공식 인정받음 이번 혁신 기술 개발이 단지 연구 성과 발표가 아니라, 양산 제품으로 상용화까지 실현하였다는데 매우 의미가 큼 삼성전자는 5년간의 "CTF 기술" 연구활동을 통해, 多數의 원천 특허를 확보하고, 업계 최초로 상용화에 성공함으로써 독자 기술로 超미세 / 超고용량 낸드 플래시 사업을 지속적으로 전개할 수 있게 되고 경쟁사와의 기술 격차도 더욱 |
|||
| 기사입력: 2006/09/12 [03:28] 최종편집: ⓒ 호남조은뉴스 | |||
|
|||
|
댓글
|
관련기사목록
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|||||||
|
|||||||
|
||||||||||||||||||||
|
 |
 |
 |
 |
